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國立暨南國際大學 諮商心理與人力資源發展學系輔導與諮商研究所 蕭富聰所指導 簡巧欣的 諮商心理師於矯正或觀護機構藥毒癮處遇經驗及專業能力需求之調查研究 （2020），提出50% fifty percent Dc關鍵因素是什麼，來自於諮商心理師、矯正或觀護機構、藥毒癮處遇經驗、專業能力。
而第二篇論文國立清華大學 化學工程學系 胡啟章所指導 姜智豪的 甲基磺酸鍍液系統之銅及銅銀的電鍍與微結構研究以及在導線之應用 （2020），提出因為有 電化學沉積、電鍍銅、電鍍銅-銀、硫脲、微結構、導線、數值計算的重點而找出了 50% fifty percent Dc的解答。
除了50% fifty percent Dc，大家也想知道這些：
諮商心理師於矯正或觀護機構藥毒癮處遇經驗及專業能力需求之調查研究
為了解決50% fifty percent Dc 的問題，作者簡巧欣 這樣論述：
本研究旨在調查諮商心理師於矯正或觀護機構中，提供藥毒癮收容人相關處遇之實務現況，並透過林家興、黃佩娟（2013）所提出的能力指標，了解於場域內提供服務之專業能力需求為何。研究工具為研究者自編之調查問卷，樣本來源以網路問卷為主，邀請近三年曾任於矯正或觀護機構並參與毒品犯處遇計畫之諮商心理師，取得有效樣本共34份，以描述性統計進行整理分析。研究結果如下： 投入矯正或觀護機構中服務之研究參與者，以31-40歲、碩士學歷者佔比最高，持有執照達3-5年者為眾，執業年資範圍為1-5年。在北部執業的人數最多，且以成人監獄為主，平均有3-5位諮商心理師同事，多為勞務承攬性質；但對勞務承攬的認同度普
遍偏低。投入契機依序為「職務所需」、「生涯因素」、「專業經驗導向」及「蒙受邀請或引薦」。服務族群以「二級毒品使用者」和「成年男性」居多，藥毒癮收容人常見議題依序為「家庭關係」、「創傷經驗」、「人際關係」和「哀傷失落」。服務過程中，對自身安全的顧慮程度低，且機構能夠給予足夠的支持度，但在維持專業界限的難度相對較高；令實務工作者感到難以維持專業界限的主要原因是「行政間缺乏整合」，且工作階段易受獄政規範及司法流程影響。對收容人提供服務之期程落在「一年以下，約6-8次」最多，結案原因多為「個案因素影響」。 近八成的矯正機構有使用測驗為收容人進行綜合評估，然僅約五成的實務工作者會運用量表、DSM-5
成癮疾患診斷標準輔助評估；其中使用率最高的量表為「簡式健康量表（BSRS-5）」和「羅德島大學改變量表（URICA）」。而在政策面的調查，約七成的研究參與者認同收容人「病犯」的觀點，對「科學實證戒癮模式」之熟悉程度中等。在七大處遇面向中，以「家庭及人際關係」、「成癮概念及處遇策略」及「職涯發展及財務管理」為多數；然實務中，仍有多項非包括在七大策略當中的處遇內涵。 在專業能力需求之調查結果中，「個別諮商」、「心理疾病/心理狀態評估診斷」、「跨系統溝通」和「撰寫衡鑑/個案報告」，均屬於使用頻率高也相對重要的專業能力。惟在「團體諮商」和「心理衛生推廣」的需求程度和重要性上，有些微差異；「團體諮商
」屬重要但不常使用的能力、「心理衛生推廣」為經常使用但重要性相對略低。 多數參與者認為研究所課程應用於實務場域中略為不足，其中於實習階段曾接觸藥毒癮收容人者僅一成；近七成研究參與者於藥毒癮相關訓練時數低於50小時、曾經歷毒品文化衝擊者達八成。然而，研究參與者自評對毒品文化之理解程度為中等偏高，且專業認同曾受到文化衝擊動搖者僅一成。 最後，根據研究結果進行討論，並進一步提出實務與研究建議，以供後進諮商心理師，欲進入矯正或觀護機構服務時作為參考。
甲基磺酸鍍液系統之銅及銅銀的電鍍與微結構研究以及在導線之應用
為了解決50% fifty percent Dc 的問題，作者姜智豪 這樣論述：
電鍍銅沉積廣泛應用於微電子線路製作，隨著電子元件持續地進行微小化的趨勢，銅互連導線因尺寸微縮將可能造成電遷移效應產生，此種現象是一種牽涉擴散、熱與電等影響，造成金屬原子移動引發短路與斷路等可靠度疑慮。電鍍銅沉積薄膜的結晶特徵及微結構與微電子導線的特性及可靠度有密切相關。此外，隨著線路微縮的技術不斷前進，適形化亦是電子元件發展的另一個趨勢，此已正逐漸應用於通訊電子、車用電子、醫療電子等領域。本項研究以甲基磺酸鍍液系統進行銅與銅銀電鍍技術開發，並以硫脲(TU)或烯丙基硫脲(ATU)作為添加劑，藉由一系列調整添加劑與其濃度、電流密度等因素，呈現鍍層結晶結構的轉變，透過電化學分析與鍍層的結晶優選方向
、表面粗糙度與形貌等微結構觀察作影響探討。此外，電鍍層厚度的均勻度將影響線路定義加工與其品質，本項研究利用數值模擬對於非平面基材表面的電鍍，進行鍍銅厚度分佈計算與影響因子探討。本論文的第一部分主要研究添加劑硫脲(TU)和烯丙基硫脲(ATU)對於甲磺酸(MSA)鍍液系統的銅電鍍沉積行為和微觀結構影響。藉由控制添加劑類型、添加劑濃度和電流密度，瞭解銅鍍層的晶體結構變化。從電化學分析來看，TU和ATU均顯示出對電鍍銅有抑制能力，且在鍍液中TU與銅離子有著較強的交互作用。隨著在鍍液中引入 TU 和 ATU 添加劑，可使得鍍銅(111)結晶方向優取的電流密度操作範圍變得更寬廣。 此外，儘管TU和ATU這
兩種添加劑具有相似的分子結構，並顯示出對銅沉積的抑制能力，但對於銅電鍍過程中的晶體成核和生長的影響有明顯差異，導致銅鍍層的表面形貌和粗糙度顯著不同。本論文的第二部分更進一步應用甲基磺酸系統進行銅銀雙成分電鍍共沉積與其微結構特性探討，藉由引入TU作為錯合劑，可以改善與消除酸性鍍銅銀系統中的氯化銀沉澱現象。透過調整電鍍液成分與電流密度，電沉積層的銀含量可控制於0.7至43 wt. %的範圍。此外，對於鍍層的相關特徵，例如銀含量、結晶晶粒尺寸、結晶方向與粗糙鍍等均有完整探討，以期本項開發在未來可應用於微電子導線。本論文的第三部分探討在非平面基材表面的電鍍銅製程設計，藉由數值計算的方式進行電鍍銅厚度分
佈的模擬預估與改善，對於均勻鍍銅厚度分佈提供最適化的製程條件與反應器設計，此項將有助於非平面線路製作與其他相關的高精密度電子線路製作。