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國防醫學院 公共衛生學研究所 李美璇所指導 余依霖的 周產期婦女膳食發炎指數與飲食品質之印證 與其憂鬱傾向相關 (2021),提出Safari 被Bing 綁架關鍵因素是什麼,來自於膳食發炎指數、周產期憂鬱症、懷孕、飲食頻率問卷、愛丁堡產後憂鬱量表。

而第二篇論文國立宜蘭大學 環境工程學系碩士班 張章堂所指導 王培華的 六角柱狀氧化鋅觸媒在過硫酸鹽溶液中對土黴素和諾氟沙星進行超音波催化降解之研究 (2018),提出因為有 超音波、氧化鋅、諾氟沙星、土黴素、協同效應的重點而找出了 Safari 被Bing 綁架的解答。

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周產期婦女膳食發炎指數與飲食品質之印證 與其憂鬱傾向相關

為了解決Safari 被Bing 綁架的問題,作者余依霖 這樣論述:

背景與研究目的: 發炎被認為可能與許多疾病有關,研究顯示憂鬱的發生與發炎可能有關,而導致發炎的原因有很多,飲食為其中一項。憂鬱症已是全球危機,懷孕時婦女的身心受到賀爾蒙的影響,生產前後也會因為其他原因導致憂鬱症狀。 目前多數研究的發炎指標由血液實驗產生,使用飲食資料產生的發炎指標的研究較少。本論文透過探討周產期婦女的飲食攝取狀況所轉換的膳食發炎指數(DII),探討懷孕晚期和產後早期的DII與飲食品質之印證,及懷孕晚期及產後早期的憂鬱傾向之相關性。研究方法: 研究參與者為三軍總醫院婦產科門診之第三孕期孕婦共300人,其中258人追蹤至產後早期(產後六周)。收案條件為懷孕29

-40週,無經醫師診斷不合適之症狀者。在懷孕晚期與產後早期各完成一次基本資料、半定量飲食頻率問卷(FFQ)及愛丁堡產後憂鬱量表(EPDS)。 將FFQ的資料轉換成DII;再將參與者按其DII高低分成五等分,並驗證DII與其他飲食品質指標之一致性。而EPDS範圍為0-30之間;大於等於10分為具有憂鬱風險。以羅吉斯迴歸分析DII與憂鬱風險之相關。結果: DII分數越高時ODI-R分數就越低(第三孕期P for trend=

六角柱狀氧化鋅觸媒在過硫酸鹽溶液中對土黴素和諾氟沙星進行超音波催化降解之研究

為了解決Safari 被Bing 綁架的問題,作者王培華 這樣論述:

近年來科技迅速發展,人們的文明病也日漸增多,當各種不同疾病環繞著人們時,抗生素藥物是這個世紀被人們譽為延長人類壽命的救命藥丹,而這種抗生素藥物屬於藥物和個人保健用品(pharmaceuticals and personal care products, PPCPs)的一種,與人類的日常生活息息相關,但由於人體對藥物的吸收率通常不會達到百分之百,因此多餘的藥物就會隨著人體所排放至衛生下水道或污水系統之中,當這些污染物未經妥善處理,將會對環境造成一系列的污染危害。目前針對抗生素廢水的處理大多使用高級氧化技術(Advanced oxidation processes, AOPs)為主,其中以超音波

催化技術(Ultrasonifi-cation, US)最為突出,但若單純使用超音波進行降解需要較高能量的輸出,因此必須在成本與去除污染物之間達到平衡。本研究製備出六角柱狀氧化鋅(Zinc Oxide, ZnO),搭配過硫酸銨氧化劑(Ammonium persulfate, APs)或過硫酸鈉(Sodium persulfate, SPs)在超音波作用下,分別對諾氟沙星(Norfloxacin, NF) 及土黴素(Oxytetracycline,OTC)進行降解,為評估ZnO降解能力,另搭配複合處理技術(US/ZnO/Ps),提升污染物降解能力。本研究製備ZnO透過FE-SEM、FEG-TEM

、EDS、UV-Vis、XRD、XPS、EPR、Zeta Potential與N2 adsorption/desorption analyzer等儀器進行材料特性分析, FE-SEM分析結果得知所製備之ZnO的形狀為六角柱狀奈米ZnO,單根奈米柱平均厚度約20至30 nm,平均長度約1 μm;FEG-TEM分析結果得知材料形成方式為先生成核心柱再包覆著多層氧化鋅外殼;EDS分析結果得知其元素組成主要由 Zn 與 O 兩種元素所組成;XRD分析結果得知晶型屬於六方纖鋅礦,並其晶型生長良好;XPS分析結果得知Zn的價態為正二價,並不含其他雜質;EPR分析結果得知ZnO在波長365 nm的汞燈照射下

,會產生羥基自由基;Zeta Potential分析結果得知材料零電位點位於pH 9.0 ± 0.3處;N2 adsorption/desorption analyzer分析結果得知ZnO的平均孔徑為19.40 nm,比表面積為6.49 m2 g-1。性能評估實驗結果得知US/ZnO/APs處理NF的最佳條件為NF濃度1 mg L-1以內,ZnO投加量為 0.5 g L-1、APs投加量為 0.1 g L-1、初始pH為 7時,總去除效率可達99.9 %;而US/ZnO/SPs處理OTC最佳條件為OTC濃度2 mg L-1以內、ZnO投加量為 0.3 g L-1、SPs投加量為 0.1 g L

-1、初始pH為 5時,總去除效率可達99.9%。透過添加抑制劑得知採用US/ZnO/Ps處理技術去除NF的主要因子為電洞提供之氧化作用,次要因子為單線氧所提供之氧化作用;另去除OTC的主要因子為羥基自由基提供之氧化作用,次要因子為電洞所提供之氧化作用。