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探討院內鮑氏不動桿菌之抗藥性、生物膜形成和抗藥基因/酶的交互作用

為了解決VEB250AT的問題，作者蘇百薇 這樣論述：

抗藥菌問題已成為全球規模性的公眾議題，抗藥性的產生不僅限制了治療上的選擇，也造成致病率、死亡率和治療成本的增加。多重抗藥性鮑氏不動桿菌被認為是最難控制和治療的院內感染菌株，尤其近年來出現的多重抗藥性鮑氏不動桿菌 (Multidrug-resistant Acinetobacter baumannii, MDRAB)、碳青黴烯類抗藥性鮑氏不動桿菌(Carbapenem resistant Acinetobacter baumannii , CRAB)、超廣譜乙內醯胺酶格蘭氏陰性菌(Extended-spectrum β-lactamases producing gram-negative ba

cteria，ESBL producing GNB) ，高度抗藥性 (Extensively drug-resistant Acinetobacter baumannii, XDRAB)及泛抗藥性 (Pandrug-resistant Acinetobacter baumannii, PDRAB)等菌株。由於抗藥性機轉的不同，雖然許多醫療單位已著手管控抗生素的使用與關注抗藥性的議題，但唯有瞭解院內抗藥菌的傳播路徑與抗藥機制，方能有效即時掌控、制定預防之道。本研究收集自嘉義基督醫院所分離的臨床菌株，並應用統計方法進行抗藥性、特定抗藥基因組合與生物膜生成的交互作用分析。利用紙錠擴散法和最低抑菌濃度

進行抗生素敏感性測試，包括11種抗生素，分別為Cephalexin, Ceftazidime, Imipenem, Gentamycin, Amikacin, Streptomycin, Piperacillin, Ticarcillin, Carbenicillin, Tetracyline, Sulfamethoxazole-Triethoprim。 基因分型探討計分析9個與抗藥性有關的基因，包括: blaOXA-51-like, blaOXA-23-like, blaOXA-58-like, blaOXA-24-like, blaOXA-143-like, tnpA, ISAba1, b

laNDM和blaADC。此外，利用Carba NP test快速檢測抗藥菌所攜帶的基因，及分析碳青黴烯類抗藥性鮑氏不動桿菌其抗藥基因的關聯性。生物膜生成利用分光光度測量法及掃描式電子顯微鏡觀察，並分析生物膜生成相關的基因bap, blaPER, ompA和csuE。本研究結果顯示大部分測試菌株具有多重抗藥性，且多數的碳青黴烯類抗藥性鮑氏不動桿菌 (93%) 攜帶ISAba1基因，其中高達68%的菌株同時攜帶tnpA和ISAba1基因。在生物膜生成分析，發現具有抗藥基因的菌株其生物膜形成量明顯較高，且多數具有多重抗藥性。本研究證實測試菌株的抗藥性、生物膜的生成和攜帶的抗藥基因型具有關聯性，分析

其抗藥機轉有助於臨床抗藥菌的篩選、鑑定、診斷、治療與管控，可提供預防菌株產生抗藥性的重要參考指標。

鈮酸鎂薄膜之開發與其光電性質探討

為了解決VEB250AT的問題，作者何毅達 這樣論述：

近年來，二元金屬氧化物受到相當廣泛的討論與研究。良好的光穿透率與優良電性與機械性質表現使這些材料得以應用於透明電子電路上。相較於多晶薄膜，非晶氧化物薄膜更擁有製程溫度低、表面均勻性佳、低漏電流與優良的機械彈性等優點。另一方面，許多材料都被發現擁有穩定的電阻轉換現象，被認為下一世代非揮發性記憶體的選項之一。鈮酸基氧化物被廣泛應用在微波元件、光電元件與光激發元件上。在這些鈮酸基氧化物中，鈮酸鎂(MgNb2O6 , MNO)擁有高介電常數、優異微波特性、良好熱穩定性、光穿透率佳與寬光學能隙等優點。這些特性使鈮酸鎂薄膜有機會應用在透明電子電路以及多功能光電元件上。本論文將分為以下三個部分討論：一、

以溶膠凝膠法製作鈮酸鎂薄膜與特性分析第一部分討論在氧化銦錫/玻璃基板(ITO/glass)上以溶膠凝膠法製作透明非晶鈮酸鎂薄膜。此部分中，將介紹受到退火條件的影響鈮酸鎂薄膜化學態與光、電特性的改變。鈮酸鎂薄膜在經過攝氏六百度退火處理後仍為非晶狀態。根據X光光電子能譜儀的分析結果，薄膜中存在Mg2+、Nb5+、Nb4+與 O2-等化學組態。其中，Nb4+在經過高溫熱處理後可以被有效消除。在波長400–800奈米的範圍中，所有試片的平均光穿透率可達80%，且光學能隙約在5電子伏特左右。退火氣氛對薄膜特性的影響也將在此部分討論。當薄膜於缺乏氧氣的環境中進行退火處理時，由於Nb4+的比例增加，薄膜將呈

現半導性。此外，MgNb2O6/ITO異質接面的電荷傳導機制也將在此進行討論。二、鋅取代對鈮酸鎂薄膜電特性的影響此部分將製作Al/Mg1-xZnxNb2O6 (MZNO)/ITO電容，並介紹鋅取代對鈮酸鎂薄膜電特性的影響。根據實驗結果，鈮酸鎂薄膜在鋅取代比例為20%時有最佳的電特性。經過攝氏四百度退火之後，薄膜的介電常數、光穿透率與光學能隙分別是21.2 (量測頻率1 MHz下), ~80% 與 4.86電子伏特。與純鈮酸鎂薄膜相比，不僅介電常數大幅增加，且製程溫度更可降低攝氏一百度。在電荷傳導機制方面，元件在外加電場由低到高時分別為歐姆傳導、空間電荷限制傳導與FN穿隧。其中，發生穿隧的臨界電

場值也隨著鋅取代量而改變。三、鈮酸鎂薄膜的電阻轉換現象第三部分將介紹鈮酸鎂薄膜的電阻轉換現象。針對Al/MNO/ITO進行直流電壓掃描測試，在大氣下退火的試片呈現穩定雙極性電阻轉換現象；然而，當試片經過純氧氣退火後，薄膜電阻轉換現象將完全消失。此結果暗示鈮酸鎂薄膜的電阻轉換現象與薄膜內氧空缺有相當程度的關聯。此外，當薄膜經過氮氫氣氛退火處理後將呈現單極性電阻轉換且無需forming。為了瞭解退火氣氛對薄膜電阻轉換現象的影響，實驗中以高解析穿隧式電子顯微鏡針對元件剖面做進一步分析。