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國立高雄科技大學 機械工程系 方得華、陳道星所指導 關尹丁的 AlCoCrFeNi高熵合金之微結構與機械特性 (2021),提出curry 9尺寸關鍵因素是什麼,來自於晶體取向、雙晶界、晶粒尺寸、高熵合金、彈性回復、力學性能、分子動力學模擬。

而第二篇論文國立陽明交通大學 電信工程研究所 唐震寰所指導 劉乃禎的 應用於5G/6G無線通訊與雷達系統之寬頻與可擴展毫米波相位陣列天線與技術 (2020),提出因為有 毫米波、相位陣列、二維波束切換、寬頻、貼片天線、空腔結構的重點而找出了 curry 9尺寸的解答。

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AlCoCrFeNi高熵合金之微結構與機械特性

為了解決curry 9尺寸的問題,作者關尹丁 這樣論述:

本研究採用分子動力學模擬研究AlCoCrFeNi 高熵合金(HEA)在奈米刮刻和奈米壓印下的機械性質。結果表明,表面磨損特性和刮痕所引起的表面破壞明顯取決於雙晶界間的結晶取向、間隔和傾斜角度等影響因素。對於晶體取向的變化,最大壓痕力會隨著晶體取向[111]、[001]和[101]的順序而增加。在晶體取向[001]時有最大的摩擦係數,這表明壓頭在基板中的移動受到的限制最大。微結構演變顯示了Lomer-Cottrell 和 Hirth 差排在各個滑移系統中不同角度之間的形成。Hall-Petch關係和inverse Hall-Petch關係可以透過不同的雙晶界間距所觀察到,並由於差排和雙晶界之間

的各種相互作用,會在彼此傾斜角度為0°時達到最大壓痕力。顯然,變形和微觀結構演變以及原子流向很大程度上取決於雙晶界彼此間的間隔和傾斜角度,其中雙晶界遷移是重要因素。工件的表面形貌會因為表面的彈性恢復、差排的成核與滑移等,存在著顯著差異,這意味著材料的結構會決定磨損量的多寡。此外,在奈米壓印過程中仔細分析了晶體結構、合金成分、晶粒尺寸和雙晶界距離對力學性能的影響。壓印結果表明,最高負載力依序為多晶、奈米雙晶多晶和單晶。合金比例的變化表明,壓印力會隨著合金中鋁比例的增加而增加。由於差排和晶粒/雙晶界之間的相互作用,可以在多晶結構中觀察到reverse Hall-Petch關係,而在多晶奈米雙晶中發

現Hall-Petch和reverse Hall-Petch關係。變形行為表明,剪切應變和局部應力不僅集中在壓頭周圍,且還集中在晶界處與晶界周圍。晶界的滑移和扭曲在多晶結構的變形機制中起了重要作用。在奈米雙晶多晶的奈米壓印過程中觀察到雙晶界遷移。此外,合金成分和晶粒尺寸的改變對材料的彈性恢復影響不大,且隨著雙晶邊界距離的減小,圖案的可成形性會更高。

應用於5G/6G無線通訊與雷達系統之寬頻與可擴展毫米波相位陣列天線與技術

為了解決curry 9尺寸的問題,作者劉乃禎 這樣論述:

本篇論文主旨在於分析與探究毫米波相位天線陣列採取板狀陣列結構(slat-based array configuration)與磚狀陣列結構(tile-based array configuration)之可行性與所面臨的挑戰。此外,本論文提出可應用於5G/6G無線通訊與雷達系統之毫米波相位陣列天線與技術,有效提升天線陣列尺寸的可擴展性與天線操作頻寬,利於適應5G/6G無線通訊與雷達系統等多元化的應用。毫米波的波長短,若要組成大型陣列天線,將會面臨元件整合、信號走線與可用於散熱裝置等空間受限的挑戰。本論文基於板狀陣列結構,成功開發操作在57 – 66 GHz並且具有32個二維度波束可切換之5×

5相位天線陣列,該陣列應用研製成功之毫米波寬頻垂直轉接結構(VIPT)結合垂直軟性基板與水平多層載板,實現二階Rotman Lens波束切換電路,有效避免使用大量接頭與線材,減輕天線陣列重量與開發成本。更重要的是,應用軟性基板可增加垂直軟板底部間之距離,利於分散高功率元件之間距,有效解決整合空間與散熱面積不足之問題。此外,寬頻垂直轉接結構使得垂直軟性基板成為可更換之零件,天線陣列可搭配不同設計的垂直軟性基板,天線陣列單元數量(陣列尺寸)具有可擴展之特性,提升該天線陣列系統之應用彈性。針對採用磚狀陣列結構之毫米波天線陣列,該結構可提供緊密的整合,易實現體積較小、輻射效率較高的天線陣列系統。貼片式

天線因具有寬側輻射場型(broadside radiation pattern),常見於磚狀陣列結構中。然而,貼片式天線屬於共振式天線,操作頻寬通常較小,而現行文獻中大多採用寄生結構或加厚基板以實現寬頻貼片式天線,較大的尺寸或表面波的產生皆不利於相位天線陣列。本論文提出多層電路板之創新壓合疊構,有效實現雙曲金屬結構,該金屬結構可用來作為貼片式天線之共振結構,成功開發出具有22.1 %比例頻寬之微小化貼片式天線,厚度僅0.67 mm (0.067 λ),相比於現有國際上之研究成果,具有優異的特性。