ramp半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括賽程、直播線上看和比分戰績懶人包

4H型碳化矽之P-N接面的漏電流面積相依性以及其優化之研究

為了解決ramp半導體的問題，作者林建豪 這樣論述：

4H型碳化矽常被應用在高功率的半導體元件，例如，溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體(UMOSFETs)。這種類型的電晶體上有經過高劑量離子植入形成的N+/P-body接面，在操作時N+和P-body等電位，因此沒有接面漏電的顧慮，但如果在元件操作時，我們需要同時對N+以及P+同時施加偏壓，例如，互補式金屬氧化物半導體場效電晶體(CMOSFETs)，這種元件上的P-N接面是由高劑量離子植入形成，且會進入到反向偏壓操作，將必須得去深入研究。本文主要針對4H型碳化矽互補式金屬氧化物半導體場效電晶體上各種P-N接面的研究以及電性上的探討。我們製作了N+/P接面、P+/N接面以及P-well/N-epi接

面，並且設計了不同面積的方形以及長邊長形狀。實驗發現P-well/N-epi接面因為N-epi是磊晶成長，且P-well是低劑量離子植入形成，因此沒有接面漏電的疑慮。P+/N-well雖然還是有少數接面會有機率出現高漏電流的現象，但是這是因為接觸金屬Ti/Al中的Al與場氧化層反應形成氧化鋁所導致，不是接面本身的漏電問題。N+/P-well接面上則發現有一種漏電流面積效應產生，隨著接面的面積越大，產生高漏電流的機率也隨之變大的現象，而這種漏電流面積效應是N+內高損傷區誘發出的致命缺陷所導致的，並且得到在N+區內的缺陷密度約為532 defect/cm2。為了清楚解決殘留缺陷造成的機率性漏電，本

篇論文嘗試調整N+區的離子植入條件，包括改變植入的劑量以及接面的深度，發現N+區損傷程度對於後續產生出的致命缺陷有著很大的影響，改變劑量的實驗有效地降低P-N接面處附近的致命缺陷，使空乏區接觸到的致命缺陷量降低，改善整體的漏電流。而改變接面深度的實驗則因為接面深度調整的不夠深，沒辦法讓空乏區遠離高損傷區，空乏區接觸到的致命缺陷量沒有減少，最終使得漏電流沒有明顯降低。最後我們將改變N+離子植入劑量的實驗結果應用在完整的4H型碳化矽互補式金屬氧化物半導體場效電晶體的製程中，透過大量數據確認此調整可以有效地解決在N+/P接面上的漏電流面積效應並獲得高良率，得到在反向偏壓20 V下，不管在哪個接面面積

，漏電流密度皆約為2x10-15 A/µm2。

次世代電阻式記憶體與氮化鎵高電子遷移率電晶體物理機制研究

為了解決ramp半導體的問題，作者鄭皓軒 這樣論述：

近年來5G通訊、人工智慧物聯網(AIoT)以及車用電子各項技術蓬勃發展，在高速運算、儲存容量與大功率操作的需求下，記憶體元件與功率電晶體的發展相當重要。在記憶體方面，隨著人工智慧物聯網時代的來臨，微控制器(MCU)將扮演相當重要的角色，而微控制器需使用大量的嵌入式記憶體(Embedded Memory)，嵌入式記憶體需要低操作功耗、高操作速度，並且能與半導體製程整合，在次世代記憶體中，電阻式記憶體最具有潛力。而在功率電晶體方面，過去以矽基元件的設計和技術開發經過了多次結構和製程優化更新，已逐漸接近矽材料的極限。而氮化鎵(GaN)為寬能隙(Wide Band-gap)半導體材料的代表之一，相較

於矽材料，具有寬能隙( bandgap)、高臨界電場(critical electric field)、高電子飽和速度(electron saturation velocity)等特性，在電動車與 5G 通訊方面為極具優勢的材料，以氮化鎵(GaN)為基底的高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)日漸受到重視，顯現出氮化鎵在商業市場上的重要性以及未來的發展性。本論文針對電阻式記憶體以及氮化鎵高電子遷移率電晶體之性能進行相關研究。RRAM的元件目前以電晶體控制其開關(1T1R)作為嵌入式記憶體的主要結構。隨著莫爾定律的發展，電晶體的通道不

斷的微縮，電晶體可承受的電壓會越來越小，可能會逼近RRAM最大的操作電壓 – 形成電壓(Forming Voltage)，因此，如何降低形成電壓就會是一個重要的問題。本論文提出利用交流訊號進行Forming的步驟，使RRAM的Forming電壓下降，並且更進一步的設計出理想的操作波形，應用於嵌入式電阻式記憶體中。另一方面，由於嵌入式電阻式記憶體是RRAM串聯一電晶體，在Reset過程中，RRAM所獲得的電壓增加，造成電晶體的VGS減少，電晶體進入飽和區，使RRAM無法有效地增加操作窗口。因此，RRAM的操作窗口會受到電晶體的限制。除此之外，電晶體不只影響RRAM的操作窗口，也會影響RRAM的阻

態分部，因此，了解嵌入式電阻式記憶體操作過程中，RRAM與電晶體之間的關係，能夠有效降低嵌入式電阻式記憶體操作過程中電晶體的跨壓，就可以設計出低功耗/高性能嵌入式電阻式記憶體的架構。在氮化鎵高電子遷移率電晶體方面，考量安全因素元件的起始電壓須大於0，因此p-GaN HEMT因可達增強型(Enhancement-Mode, E-mode)為主要發展的元件，但是元件在關態時會產生嚴重的漏電流，故如何抑制元件漏電流是一重要議題。研究中發現p-GaN HEMT元件具有駝峰效應。分析其原因係在元件保護層中，因製程所產生的氫擴散至p-GaN層，進而產生次通道(Sub-channel)效應造成較大關態漏電。

另一方面，p-GaN HEMT閘極常見有Ni、Au和TiN等材料，不同材料間基本物理特性會影響元件的基本性能。然而，閘極金屬製程可能因為前驅物或電漿的轟擊，導致元件有前驅物殘留的污染、不平整的表面和較差的介面品質。此章節主要討論p-GaN HEMT漏電成因與不同閘極金屬製程對於之性能的影響。